Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V TO-220 IRF8010PBF
- N° de stock RS:
- 257-9326
- Référence fabricant:
- IRF8010PBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
7,17 €
(TVA exclue)
8,675 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 615 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,434 € | 7,17 € |
| 50 - 120 | 1,248 € | 6,24 € |
| 125 - 245 | 1,162 € | 5,81 € |
| 250 - 495 | 1,09 € | 5,45 € |
| 500 + | 1,004 € | 5,02 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9326
- Référence fabricant:
- IRF8010PBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 81nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 81nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the 100V single n channel power mosfet in a TO 220 package. The IR mosfet family of power mosfets utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as dc motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Industry standard through hole power package
High current rating
Liens connexes
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V TO-220AB IRF8010PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V TO-220AB IRFB4510PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V TO-220AB IRF1104PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V TO-220AB IRFB4310ZPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-220AB IRFB3607PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-220AB IRF540NPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-220AB IRF530NPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-220AB IRF520NPBF