Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 130 A, 100 V TO-220

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 800 unités)*

1 335,20 €

(TVA exclue)

1 615,20 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 30 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
800 +1,669 €1 335,20 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
257-5556
Référence fabricant:
IRFS4310TRLPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

130A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

7mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

330W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

170nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.

High efficiency synchronous rectification

Lead-free

Liens connexes