Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 79 A, 60 V TO-220

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N° de stock RS:
257-9267
Référence fabricant:
IRF1018ESTRLPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

79A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-220

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.4mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the 60V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.

Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness

Fully characterized capacitance and avalanche SOA

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

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