Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 79 A, 60 V TO-220

N° de stock RS:: 257-9267
Référence fabricant:: IRF1018ESTRLPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 79 A, 60 V TO-220

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 257-9267
Référence fabricant:: IRF1018ESTRLPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	79A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8.4mΩ
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	46nC
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 79A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8.4mΩ
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF1018ESTRLPBF

The Infineon IRF series is the 60V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.

Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness

Fully characterized capacitance and avalanche SOA

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

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