Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 79 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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688-6800
Référence fabricant:
IRF1018EPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

79A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-220

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.83 mm

Standards/Approvals

No

Length

10.67mm

Height

9.02mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-43-449

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon


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