Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 79 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF1018EPBF

N° de stock RS:: 145-9197
Référence fabricant:: IRF1018EPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 79 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF1018EPBF

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Unité	Prix par unité	le tube*
50 - 50	0,768 €	38,40 €
100 - 200	0,63 €	31,50 €
250 - 450	0,591 €	29,55 €
500 - 1200	0,553 €	27,65 €
1250 +	0,507 €	25,35 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 145-9197
Référence fabricant:: IRF1018EPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	79A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	46nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	4.83 mm
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Height	9.02mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 79A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 4.83 mm
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Height 9.02mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: MX

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