Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V TO-220 IRF60B217

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257-9294
Référence fabricant:
IRF60B217
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-220

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the 60V single n channel strong IRFET power mosfet in a TO 220 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.

Industry standard through-hole power package

High current rating

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Softer body diode compared to previous silicon generation

Wide portfolio available


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