Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PQFN IRFH5301TRPBF
- N° de stock RS:
- 257-5887
- Référence fabricant:
- IRFH5301TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
3,50 €
(TVA exclue)
4,25 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 3 640 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,70 € | 3,50 € |
| 50 - 120 | 0,624 € | 3,12 € |
| 125 - 245 | 0,59 € | 2,95 € |
| 250 - 495 | 0,444 € | 2,22 € |
| 500 + | 0,432 € | 2,16 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-5887
- Référence fabricant:
- IRFH5301TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.85mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5 mm | |
| Height | 0.9mm | |
| Length | 6mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.85mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5 mm | ||
Height 0.9mm | ||
Length 6mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Industry standard surface-mount power package
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
Softer body-diode compared to previous silicon generation
Wide portfolio available
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN IRLHS6376TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN IRLHM630TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN IRFHM830TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IRFH5302TRPBF