Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PQFN

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*

1 768,00 €

(TVA exclue)

2 140,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 06 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
4000 +0,442 €1 768,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
257-5527
Référence fabricant:
IRFH5301TRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PQFN

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.85mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

37nC

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5 mm

Length

6mm

Height

0.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Industry standard surface-mount power package

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100 kHz

Softer body-diode compared to previous silicon generation

Wide portfolio available

Liens connexes