Vishay Type N-Channel MOSFET, 6.6 A, 80 V, 6-Pin PowerPAK SIA108DJ-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 256-7400
- Référence fabricant:
- SIA108DJ-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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|---|---|---|
| 3000 + | 0,397 € | 1 191,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 256-7400
- Référence fabricant:
- SIA108DJ-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.024Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 19W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.024Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 19W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.8mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Semiconductor N-channel 80 V (D-S) mosfet its application are primary side switch, DC, DC converter, motor drive switch, boost converter, LED backlighting.
TrenchFET gen IV power mosfet
Tuned for the lowest RDS x Qoss
100% Rg and UIS tested
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