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Vishay N-Channel MOSFET, 6.6 A, 80 V, 6-Pin PowerPAK SIA108DJ-T1-GE3

N° de stock RS:: 256-7400
Référence fabricant:: SIA108DJ-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay N-Channel MOSFET, 6.6 A, 80 V, 6-Pin PowerPAK SIA108DJ-T1-GE3

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 191,00 €

(TVA exclue)

1 440,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,397 €	1 191,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 256-7400
Référence fabricant:: SIA108DJ-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	PowerPAK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.024Ω
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	19W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	800μm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type PowerPAK
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.024Ω
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 19W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 800μm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SIA108DJ-T1-GE3

The Vishay Semiconductor N-channel 80 V (D-S) mosfet its application are primary side switch, DC, DC converter, motor drive switch, boost converter, LED backlighting.

TrenchFET gen IV power mosfet

Tuned for the lowest RDS x Qoss

100% Rg and UIS tested

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