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Vishay SiS128LDN Type N-Channel MOSFET, 33.7 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

N° de stock RS:: 188-4888
Référence fabricant:: SiS128LDN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiS128LDN Type N-Channel MOSFET, 33.7 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 176,00 €

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3000 +	0,392 €	1 176,00 €

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N° de stock RS:: 188-4888
Référence fabricant:: SiS128LDN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	33.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	PowerPAK 1212
	Series	SiS128LDN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	20.3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	20nC
	Maximum Power Dissipation Pd	39W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	1.07mm
	Length	3.15mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 33.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type PowerPAK 1212
	Series SiS128LDN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 20.3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC
	Maximum Power Dissipation Pd 39W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 1.07mm
	Length 3.15mm
	Automotive Standard No

Datasheet SiS128LDN-T1-GE3

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

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