Vishay SiS126DN Type N-Channel MOSFET, 45.1 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

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N° de stock RS:
188-4886
Référence fabricant:
SIS126DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

45.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SiS126DN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21.1nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.15 mm

Height

1.07mm

Standards/Approvals

No

Length

3.15mm

Automotive Standard

No

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

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