onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG025N065SC1

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 unité)*

9,06 €

(TVA exclue)

10,96 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 797 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
1 +9,06 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
254-7663
Référence fabricant:
NTBG025N065SC1
Fabricant:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NTB

Package Type

TO-263

Mount Type

Through Hole

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Maximum Power Dissipation Pd

117W

Forward Voltage Vf

4.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

164nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK−7L


The ON Semiconductor NTB series of a silicon carbide mosfet uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition with the low on resistance and compact chip size. It ensures a low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Used in telecommunication

Ultra low gate charge

High speed switching and low capacitance

Liens connexes