Infineon BSS Type P-Channel MOSFET, 0.15 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

180,00 €

(TVA exclue)

210,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 6 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,06 €180,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
250-0557
Référence fabricant:
BSS315PH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

0.15A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-23

Series

BSS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon makes P-channel with enhancement mode transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free. The OptiMOS P 2 Small Signal-Transistor. The Logic level 4.5V rated, avalanche rated.

Logic level is 4.5V rated

100% lead-free, and Halogen-free

Maximum power dissipation is 500mW

Liens connexes