Infineon BSS Type N-Channel MOSFET, 0.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS159NH6906XTSA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

1,66 €

(TVA exclue)

2,01 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 47 710 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 450,332 €1,66 €
50 - 1200,286 €1,43 €
125 - 2450,27 €1,35 €
250 - 4950,25 €1,25 €
500 +0,232 €1,16 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
250-0549
Référence fabricant:
BSS159NH6906XTSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

0.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-23

Series

BSS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-40-499

The Infineon makes N-channel Depletion mode small signal MOSFET transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free. It is SIPMOS Small-Signal-Transistor. It is dv /dt rated, available with V GS(th) indicator on reel. It is 100% lead-free; Halogen-free.

VDS is 60 V, RDS(on),max 8 Ω and IDSS,min is 0.13 A

Maximum power dissipation is 360 mW

Liens connexes