Infineon BSS Type P-Channel MOSFET, 0.23 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

183,00 €

(TVA exclue)

222,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 15 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,061 €183,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
250-0555
Référence fabricant:
BSS306NH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

0.23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-23

Series

BSS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon makes N-channel Enhancement mode small signal MOSFET transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free. This device is OptiMOS 2, Small-Signal-Transistor. The logic level (4.5V rated) and Avalanche rated. It is 100% lead-free and Halogen free.

N-channel, Enhancement mode

Logic level 4.5V rated

Maximum power dissipation is 500mW

Liens connexes