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Infineon BSP Type N-Channel MOSFET, 0.68 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSP316PH6327XTSA1

N° de stock RS:: 250-0536
Référence fabricant:: BSP316PH6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon BSP Type N-Channel MOSFET, 0.68 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSP316PH6327XTSA1

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50 - 120	0,40 €	2,00 €
125 - 245	0,374 €	1,87 €
250 - 495	0,346 €	1,73 €
500 +	0,324 €	1,62 €

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N° de stock RS:: 250-0536
Référence fabricant:: BSP316PH6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	0.68A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	BSP
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Power Dissipation Pd	81W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Distrelec Product Id	304-40-496
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 0.68A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series BSP
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Power Dissipation Pd 81W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Distrelec Product Id 304-40-496
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - BSP316PH6327XTSA1

The Infineon makes this SIPMOS, Small-Signal-Transistor P-Channel, Enhancement mode mosfet. The device is dv/dt rated, P-channel, Enhancement mode transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free.

Vds is 100 V, RDS(on) 1.8 Ω and Id is 0.68 A

Maximum power dissipation is 360 mW

Infineon BSP Type N-Channel MOSFET, 0.68 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSP316PH6327XTSA1

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