Infineon BSP Type N-Channel MOSFET, 0.12 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSP125H6433XTMA1
- N° de stock RS:
- 250-0528
- Référence fabricant:
- BSP125H6433XTMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,064 € | 5,32 € |
| 50 - 120 | 0,914 € | 4,57 € |
| 125 - 245 | 0,852 € | 4,26 € |
| 250 - 495 | 0,784 € | 3,92 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 250-0528
- Référence fabricant:
- BSP125H6433XTMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 0.12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | BSP | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 0.12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series BSP | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon Small Signal n-channel products are suitable for automotive applications. This SIPMOS Power-Transistor is an N-Channel, Enhancement mode with Vds of 600 V, Rds(on) 45 Ω and Id is 0.12 A. It is dv/dt rated.
Pb-free lead plating
Maximum power dissipation is 360mW
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