Infineon Dual N Channel Normal Level IPG20N06S4-15A 2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Dual N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- N° de stock RS:
- 249-6918
- Référence fabricant:
- IPG20N06S415AATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
6,06 €
(TVA exclue)
7,335 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 4 760 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,212 € | 6,06 € |
| 50 - 120 | 1,08 € | 5,40 € |
| 125 - 245 | 1,006 € | 5,03 € |
| 250 - 495 | 0,932 € | 4,66 € |
| 500 + | 0,874 € | 4,37 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 249-6918
- Référence fabricant:
- IPG20N06S415AATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | IPG20N06S4-15A | |
| Package Type | SuperSO8 5 x 6 | |
| Pin Count | 8 | |
| Channel Mode | Dual N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Transistor Configuration | Dual N Channel Normal Level | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series IPG20N06S4-15A | ||
Package Type SuperSO8 5 x 6 | ||
Pin Count 8 | ||
Channel Mode Dual N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Transistor Configuration Dual N Channel Normal Level | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.
175°C operating temperature
Liens connexes
- Infineon Dual N Channel Normal Level IPG20N06S4-15A 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Dual N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Dual N Channel Normal Level Enhancement Mode IPG16N10S4-61 Type N-Channel MOSFET 100 V Dual N, 8-Pin
- Infineon Dual N Channel Normal Level IPG 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 2 Type N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin SuperSO8
- Infineon Dual N Channel OptiMOSTM 2 Type N-Channel MOSFET & Diode 30 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Dual N Channel OptiMOSTM 2 Type N-Channel MOSFET & Diode 30 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC0924NDIATMA1
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Dual N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Type N-Channel MOSFET 100 V Dual N, 8-Pin TDSON