Infineon Dual N Channel OptiMOSTM 2 Type N-Channel MOSFET & Diode, 40 A, 30 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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N° de stock RS:
244-1558
Référence fabricant:
BSC0924NDIATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SuperSO8 5 x 6

Series

OptiMOSTM

Pin Count

8

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.7nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual N Channel

Standards/Approvals

JEDEC1, IEC61249-2-22

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Infineon has MOSFET which is OptiMOS power MOSFET,Integrated monolithic Schottky-like diode and Optimized for high performance Buck converter.

N Channel

100% Avalanche tested

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

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