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onsemi SiC Power Module, 900 V F1-2PACK NXH010P90MNF1PTG

N° de stock RS:: 248-5826
Référence fabricant:: NXH010P90MNF1PTG
Fabricant:: onsemi

onsemi SiC Power Module, 900 V F1-2PACK NXH010P90MNF1PTG

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 248-5826
Référence fabricant:: NXH010P90MNF1PTG
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	SiC Power Module
	Maximum Drain Source Voltage Vds	900V
	Package Type	F1-2PACK
	Mount Type	Through Hole
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	18 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Power Dissipation Pd	328W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

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	Marque onsemi
	Product Type SiC Power Module
	Maximum Drain Source Voltage Vds 900V
	Package Type F1-2PACK
	Mount Type Through Hole
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 18 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Power Dissipation Pd 328W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - NXH010P90MNF1PTG

The ON Semiconductor is a power module containing an 10 mohm/900 V SiC MOSFET half bridge and a thermistor in an F1 package.

10 mohm/900 V SiC MOSFET half bridge

Options with pre−applied thermal interface material and without pre−applied TIM

Press−fit pins

onsemi SiC Power Module, 900 V F1-2PACK NXH010P90MNF1PTG

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