onsemi SiC Power Module, 900 V F1-2PACK NXH010P90MNF1PTG

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248-5826
Référence fabricant:
NXH010P90MNF1PTG
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

SiC Power Module

Maximum Drain Source Voltage Vds

900V

Package Type

F1-2PACK

Mount Type

Through Hole

Maximum Gate Source Voltage Vgs

18 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

328W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor is a power module containing an 10 mohm/900 V SiC MOSFET half bridge and a thermistor in an F1 package.

10 mohm/900 V SiC MOSFET half bridge

Options with pre−applied thermal interface material and without pre−applied TIM

Press−fit pins

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