Références fabricant

onsemi NXH040F120MNF1PTG IGBT Module F1-4PACK, Surface

N° de stock RS:: 245-6960
Référence fabricant:: NXH040F120MNF1PTG
Fabricant:: onsemi

onsemi NXH040F120MNF1PTG IGBT Module F1-4PACK, Surface

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 245-6960
Référence fabricant:: NXH040F120MNF1PTG
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Power Dissipation Pd	74W
	Number of Transistors	4
	Package Type	F1-4PACK
	Mount Type	Surface
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	1200 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Series	NXH040F120MNF1PTG
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	34.1mm
	Height	12.35mm
	Length	48.8mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type IGBT Module
	Maximum Power Dissipation Pd 74W
	Number of Transistors 4
	Package Type F1-4PACK
	Mount Type Surface
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 1200 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Series NXH040F120MNF1PTG
	Standards/Approvals RoHS
	Width 34.1mm
	Height 12.35mm
	Length 48.8mm
	Automotive Standard No

Datasheet - NXH040F120MNF1PTG

The ON Semiconductor F1 4PACK SiC MOSFET Module is a power module containing an 40 m /1200 V SiC MOSFET full bridge and a thermistor in an F1 package.

40 m/1200 V SiC MOSFET Half Bridge Thermistor

Options with Pre applied thermal interface material and without Pre applied TIM

Press Fit Pins

These Devices are Pb Free, Halide Free and are RoHS Compliant

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