STMicroelectronics A2F SiC Power Module, 75 A, 1200 V Enhancement ACEPACK 2 A2F12M12W2-F1

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A2F12M12W2-F1
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Product Type

SiC Power Module

Maximum Continuous Drain Current Id

75A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

A2F

Package Type

ACEPACK 2

Mount Type

Chassis

Maximum Drain Source Resistance Rds

17mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

18 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

UL

Automotive Standard

AEC-Q101

The STMicroelectronics is designed as power module in four pack topology integrates advanced silicon carbide power MOSFET technology. The module leverages the innovative properties of the wide-bandgap SiC material and a high-thermal-performance substrate.

Four pack topology

ACEPACK 2 power module

13 mΩ of typical RDS(on) each switch

Insulation voltage UL certified of 2.5 kVrms

Integrated NTC temperature sensor

DBC Cu-Al2O3-Cu based

Press fit contact pins

Excellent switching performance that is virtually independent of temperature

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