STMicroelectronics STL Type N-Channel MOSFET, 55 A, 12 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL325N4LF8AG
- N° de stock RS:
- 248-4901
- Référence fabricant:
- STL325N4LF8AG
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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| 50 - 98 | 1,80 € | 3,60 € |
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- N° de stock RS:
- 248-4901
- Référence fabricant:
- STL325N4LF8AG
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 12V | |
| Package Type | PowerFLAT | |
| Series | STL | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 188W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | UL | |
| Height | 1mm | |
| Length | 6mm | |
| Width | 4.9 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 55A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 12V | ||
Package Type PowerFLAT | ||
Series STL | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 188W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals UL | ||
Height 1mm | ||
Length 6mm | ||
Width 4.9 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics product is a N channel Power MOSFET that utilizes STripFET F8 technology featuring an enhanced trench gate structure. It ensures very low on state resistance while reducing internal capacitances and gate charge for faster and more efficient switching.
Used for switching applications
MSL1 grade
AEC-Q101 qualified
175 degree C operating temperature
100 percent avalanche tested
Wettable flank package
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