STMicroelectronics STL Type N-Channel MOSFET, 55 A, 12 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL320N4LF8
- N° de stock RS:
- 248-4899
- Référence fabricant:
- STL320N4LF8
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
5,35 €
(TVA exclue)
6,474 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 448 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 2,675 € | 5,35 € |
| 10 - 18 | 2,55 € | 5,10 € |
| 20 - 48 | 2,29 € | 4,58 € |
| 50 - 98 | 2,065 € | 4,13 € |
| 100 + | 1,955 € | 3,91 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 248-4899
- Référence fabricant:
- STL320N4LF8
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 12V | |
| Package Type | PowerFLAT | |
| Series | STL | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 188W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6mm | |
| Standards/Approvals | UL | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 55A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 12V | ||
Package Type PowerFLAT | ||
Series STL | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 188W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6mm | ||
Standards/Approvals UL | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics product is a N channel Power MOSFET that utilizes STripFET F8 technology featuring an enhanced trench gate structure. It ensures very low on state resistance while reducing internal capacitances and gate charge for faster and more efficient switching.
Used for switching applications
MSL1 grade
175 degree C operating temperature
100 percent avalanche tested