ROHM Type N-Channel SiC Power Module, 204 A, 1200 V BSM180D12P2C101
- N° de stock RS:
- 246-1508
- Référence fabricant:
- BSM180D12P2C101
- Fabricant:
- ROHM
Sous-total (1 boîte de 12 unités)*
5 149,62 €
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Unité | Prix par unité | La Boite* |
|---|---|---|
| 12 + | 429,135 € | 5 149,62 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 246-1508
- Référence fabricant:
- BSM180D12P2C101
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | SiC Power Module | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 204A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Mount Type | Screw | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type SiC Power Module | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 204A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Mount Type Screw | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
ROHM BSM180D12P2C101 1200V, 204A, Half bridge, Silicon-carbide (SiC) Power Module
Features
・SiC MOSFET-only power module
・High-speed switching and low switching loss
・Ensured reliability of body diode conduction
・Low body diode Qrr and trr
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