Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V N, 3-Pin TO-252 IPD30N12S3L31ATMA1

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

6,60 €

(TVA exclue)

8,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Commandes ci-dessous 75,00 € coût (TVA exclue) 5,95 €.
Temporairement en rupture de stock
  • 1 600 unité(s) expédiée(s) à partir du 27 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 451,32 €6,60 €
50 - 1201,084 €5,42 €
125 - 2451,006 €5,03 €
250 - 4950,938 €4,69 €
500 +0,868 €4,34 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
244-1592
Référence fabricant:
IPD30N12S3L31ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET OptiMOSTM power MOSFET for automotive applications is a Green product RoHS compliant and is Automotive AEC Q101 qualified.

N-channel - Enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

100% Avalanche tested

Liens connexes

Recently viewed