Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V P, 3-Pin TO-252 IPD80R1K2P7ATMA1

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N° de stock RS:
244-1596
Référence fabricant:
IPD80R1K2P7ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

P

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

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