Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V N, 3-Pin TO-252 IPD80R280P7ATMA1

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244-0946
Référence fabricant:
IPD80R280P7ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2mΩ

Channel Mode

N

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon 800V CoolMOS P7 superjunction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on flyback applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. Overall, it helps customers save BOM cost and reduce assembly effort.

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