Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V P, 3-Pin TO-252 IPD5N25S3430ATMA1

Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

5,15 €

(TVA exclue)

6,25 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 2 335 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 201,03 €5,15 €
25 - 450,98 €4,90 €
50 - 1200,878 €4,39 €
125 - 2450,792 €3,96 €
250 +0,754 €3,77 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
244-1594
Référence fabricant:
IPD5N25S3430ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

P

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET OptiMOSTM Power Transistor is a Green product RoHS compliant and is Automotive AEC Q101 qualified.

N-channel - Enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

100% Avalanche tested

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.