Infineon ISP Type P-Channel MOSFET, 3.7 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

530,00 €

(TVA exclue)

640,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 31 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 - 10000,53 €530,00 €
2000 +0,504 €504,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
243-9276
Référence fabricant:
ISP650P06NMXTSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

3.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-223

Series

ISP

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon P-Channel small signal transistor have Pb-free lead plating. The drain current and drain-source voltage of MOSFET is -3.7A and -60V respectively. It has very low resistance value. The operating temperature is ranges from -55 °C to 150 °C.

Surface Mount technology

Logic level availability

Easy interface to Microcontroller Unit (MCU)

Fast switching

avalanche ruggedness

Liens connexes