Infineon ISP Type P-Channel MOSFET, 1.7 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 ISP75DP06LMXTSA1

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

3,22 €

(TVA exclue)

3,90 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 950 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 900,322 €3,22 €
100 - 2400,305 €3,05 €
250 - 4900,293 €2,93 €
500 - 9900,28 €2,80 €
1000 +0,226 €2,26 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
243-9279
Référence fabricant:
ISP75DP06LMXTSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

1.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-223

Series

ISP

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon P-Channel small signal transistor have Pb-free lead plating. The drain current and drain-source voltage of MOSFET is -1.1 A and -60V respectively. It has very low resistance value. The operating temperature is ranges from -55 °C to 150 °C.

Surface Mount technology

Logic level availability

Easy interface to Microcontroller Unit (MCU)

Fast switching

avalanche ruggedness

Liens connexes