Infineon iPB N-Channel MOSFET, 273 A, 100 V P, 3-Pin TO-263 IPB020N08N5ATMA1
- N° de stock RS:
- 243-9265
- Référence fabricant:
- IPB020N08N5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
2 024,00 €
(TVA exclue)
2 449,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 01 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,024 € | 2 024,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 243-9265
- Référence fabricant:
- IPB020N08N5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 273A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | iPB | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.7mΩ | |
| Channel Mode | P | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 273A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series iPB | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.7mΩ | ||
Channel Mode P | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon N-channel power MOSFET is an ideal for high frequency switching. It has an excellent gate charge product (FOM). It typically provided in D2PAK package system. The drain current and drain-source voltage of power MOSFET is 173 A and 80 V respec
300 W power dissipation
Surface mount
Optimized for synchronous rectification
Output capacitance reduction of up to 44 %
Liens connexes
- Infineon iPB N-Channel MOSFET 100 V P, 3-Pin TO-263 IPB020N08N5ATMA1
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263 IPB110P06LMATMA1
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80P03P4L04ATMA2
- Infineon iPB N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB N-Channel MOSFET 100 V N, 7-Pin TO-263
- Infineon iPB N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263 IPB048N15N5ATMA1