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Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 273 A, 100 V P, 3-Pin TO-263 IPB020N08N5ATMA1

N° de stock RS:: 243-9266
Référence fabricant:: IPB020N08N5ATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 273 A, 100 V P, 3-Pin TO-263 IPB020N08N5ATMA1

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N° de stock RS:: 243-9266
Référence fabricant:: IPB020N08N5ATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	273A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-263
	Series	iPB
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.7mΩ
	Channel Mode	P
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Maximum Power Dissipation Pd	81W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 273A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-263
	Series iPB
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.7mΩ
	Channel Mode P
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Maximum Power Dissipation Pd 81W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IPB020N08N5ATMA1

The Infineon N-channel power MOSFET is an ideal for high frequency switching. It has an excellent gate charge product (FOM). It typically provided in D2PAK package system. The drain current and drain-source voltage of power MOSFET is 173 A and 80 V respec

300 W power dissipation

Surface mount

Optimized for synchronous rectification

Output capacitance reduction of up to 44 %

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 273 A, 100 V P, 3-Pin TO-263 IPB020N08N5ATMA1

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