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Nexperia Type P-Channel MOSFET, 20.2 A, 20 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33 PXP8R3-20QXJ

N° de stock RS:: 243-4895
Référence fabricant:: PXP8R3-20QXJ
Fabricant:: Nexperia

Nexperia Type P-Channel MOSFET, 20.2 A, 20 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33 PXP8R3-20QXJ

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N° de stock RS:: 243-4895
Référence fabricant:: PXP8R3-20QXJ
Fabricant:: Nexperia

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	20.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	MLPAK33
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	13.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	81W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Nexperia
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 20.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type MLPAK33
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 13.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 81W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - PXP8R3-20QXJ

The Nexperia P-channel enhancement mode field effect transistor (FET) in a MLPAK33 (SOT8002) surface mounted device (SMD) plastic package having trench MOSFET technology.

Low threshold voltage

Trench MOSFET technology

High-side load switch

Battery management

DC-to-DC conversion

Switching circuits

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