Nexperia Type P-Channel MOSFET, 22.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33
- N° de stock RS:
- 243-4889
- Référence fabricant:
- PXP6R1-30QLJ
- Fabricant:
- Nexperia
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|---|---|---|
| 3000 + | 0,704 € | 2 112,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 243-4889
- Référence fabricant:
- PXP6R1-30QLJ
- Fabricant:
- Nexperia
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 22.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | MLPAK33 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 22.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type MLPAK33 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Nexperia P-channel enhancement mode field effect transistor (FET) in a MLPAK33 (SOT8002) surface mounted device (SMD) plastic package having trench MOSFET technology.
Low threshold voltage
Trench MOSFET technology
High-side load switch
Battery management
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