Nexperia Type P-Channel MOSFET, 13.7 A, 20 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33
- N° de stock RS:
- 243-4882
- Référence fabricant:
- PXP018-20QXJ
- Fabricant:
- Nexperia
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 243-4882
- Référence fabricant:
- PXP018-20QXJ
- Fabricant:
- Nexperia
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | MLPAK33 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type MLPAK33 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Nexperia P-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) in an MLPAK33 (SOT8002) surface-mounted device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Low threshold voltage
Trench MOSFET technology
High-side load switch
Battery management
DC-to-DC conversion
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