Nexperia Type P-Channel MOSFET, 17.7 A, 30 V Enhancement, 8-Pin MLPAK33 PXP9R1-30QLJ

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243-4897
Référence fabricant:
PXP9R1-30QLJ
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

17.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

MLPAK33

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Nexperia P-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) in an MLPAK33 (SOT8002) surface-mounted device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Low threshold voltage

Trench MOSFET technology

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Switching circuits

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