Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IAUC120N04S6L012ATMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

3,11 €

(TVA exclue)

3,764 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 14 988 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 181,555 €3,11 €
20 - 481,29 €2,58 €
50 - 981,21 €2,42 €
100 - 1981,135 €2,27 €
200 +1,045 €2,09 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
241-9890
Référence fabricant:
IAUC120N04S6L012ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TDSON

Series

IAUC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS 6 Power-Transistor is a N channel power MOSFET for automotive applications. It is 100% Avalanche tested.

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Green Product (RoHS compliant)

Liens connexes