Infineon IAUC N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IAUC120N04S6L012ATMA1

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Référence fabricant:
IAUC120N04S6L012ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TDSON

Series

IAUC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS 6 Power-Transistor is a N channel power MOSFET for automotive applications. It is 100% Avalanche tested.

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Green Product (RoHS compliant)

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