Infineon IAUC N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IAUC120N04S6N010ATMA1

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258-0916
Référence fabricant:
IAUC120N04S6N010ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TDSON

Series

IAUC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

81nC

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS 6 40V power MOS technology in the 5x6mm² SS08 leadless package with highest quality level and robustness for automotive applications. A portfolio of 16 products which enables the customer to find the best product fit in the their applications. All of this enables the best-in-class product FOM and performance on the market. The new SS08 product offers 120A continuous current ratings, which is >25% higher than the standard DPAK at almost half of its footprint area.

N-channel - Enhancement mode - normal LevelAEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Green Product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

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