Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 850 V Depletion, 3-Pin TO-220 SiHA17N80AEF-GE3

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239-8622
Référence fabricant:
SiHA17N80AEF-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Package Type

TO-220

Series

EF

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.31Ω

Channel Mode

Depletion

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47nC

Maximum Power Dissipation Pd

33W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay EF series is power MOSFET With fast body Diode. This MOSFET used for server and telecom power supply, welding, and motor drives.

Low figure-of-merit

Low effective capacitance

Low switching and conduction losses

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