Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 6 A, 850 V Depletion, 3-Pin TO-220 SIHA15N80AEF-GE3
- N° de stock RS:
- 239-8620
- Référence fabricant:
- SIHA15N80AEF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,806 € | 14,03 € |
| 50 - 120 | 2,638 € | 13,19 € |
| 125 - 245 | 2,386 € | 11,93 € |
| 250 - 495 | 2,244 € | 11,22 € |
| 500 + | 2,104 € | 10,52 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 239-8620
- Référence fabricant:
- SIHA15N80AEF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 850V | |
| Series | EF | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.31Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 33W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 850V | ||
Series EF | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.31Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Maximum Power Dissipation Pd 33W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay EF series is power MOSFET With fast body Diode. This MOSFET used for server and telecom power supply, welding, and motor drives.
Low figure-of-merit
Low effective capacitance
Low switching and conduction losses
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