Références fabricant

Toshiba N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin US6 SSM6N7002KFU,LF(T

N° de stock RS:: 236-3581
Référence fabricant:: SSM6N7002KFU,LF(T
Fabricant:: Toshiba

Toshiba N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin US6 SSM6N7002KFU,LF(T

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

240,00 €

(TVA exclue)

300,00 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,08 €	240,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 236-3581
Référence fabricant:: SSM6N7002KFU,LF(T
Fabricant:: Toshiba

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	US6
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.2mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	-0.79V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.39nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	900μm
	Width	2mm
	Standards/Approvals	No
	Length	2.1mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Toshiba
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type US6
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf -0.79V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.39nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 900μm
	Width 2mm
	Standards/Approvals No
	Length 2.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SSM6N7002KFU,LF(T

The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in high speed switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

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