Toshiba Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin US6

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236-3581
Référence fabricant:
SSM6N7002KFU,LF(T
Fabricant:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

300mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

US6

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-0.79V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.39nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.1mm

Standards/Approvals

No

Height

0.9mm

Width

2 mm

Automotive Standard

No

The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in high speed switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

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