Toshiba Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

1 822,00 €

(TVA exclue)

2 204,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2000 - 20000,911 €1 822,00 €
4000 - 80000,841 €1 682,00 €
10000 +0,78 €1 560,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
171-2426
Référence fabricant:
TK60S06K3L
Fabricant:
Toshiba
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

60nC

Maximum Power Dissipation Pd

88W

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.3mm

Length

6.5mm

Standards/Approvals

No

Width

7 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
JP
Automotive

Motor Drivers

DC-DC Converters

Switching Voltage Regulators

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.4 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

Enhancement mode: Vth = 2.0 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Liens connexes