Toshiba Type N-Channel MOSFET, 6 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SSM3K341R,LF(T

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236-3580
Référence fabricant:
SSM3K341R,LF(T
Fabricant:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

43mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.4W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.3nC

Forward Voltage Vf

-0.9V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

2.9 mm

Height

0.8mm

Length

2.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Toshiba field effect transistor MADE up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

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