Références fabricant

Toshiba Dual 2 N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SSM6N7002KFU

N° de stock RS:: 171-2410
Référence fabricant:: SSM6N7002KFU
Fabricant:: Toshiba

Toshiba Dual 2 N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 SSM6N7002KFU

Actuellement indisponible

Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.

N° de stock RS:: 171-2410
Référence fabricant:: SSM6N7002KFU
Fabricant:: Toshiba

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-363
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.75Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.39nC
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Forward Voltage Vf	-0.79V
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Length	2mm
	Width	1.25mm
	Standards/Approvals	No
	Height	900μm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Toshiba
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-363
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.75Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.39nC
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Forward Voltage Vf -0.79V
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Length 2mm
	Width 1.25mm
	Standards/Approvals No
	Height 900μm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Pays d'origine :: TH

High-Speed Switching

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V)

RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.