Toshiba Dual 2 Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

132,00 €

(TVA exclue)

159,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 28 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 - 30000,044 €132,00 €
6000 - 60000,04 €120,00 €
9000 +0,038 €114,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
171-2410
Référence fabricant:
SSM6N7002KFU
Fabricant:
Toshiba
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.75Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.39nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Forward Voltage Vf

-0.79V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Width

1.25 mm

Standards/Approvals

No

Length

2mm

Height

0.9mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
TH
High-Speed Switching

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V)

RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)

Liens connexes