Toshiba Type P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 SSM3J338R,LF(T

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236-3569
Référence fabricant:
SSM3J338R,LF(T
Fabricant:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

26.3mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.75V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.8mm

Length

2.4mm

Width

2.9 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Toshiba field effect transistor MADE up of the silicon material and having P channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

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