Toshiba Type P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 SSM3J338R,LF(T

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 50 unités)*

147,40 €

(TVA exclue)

178,35 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 200 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
  • Plus 400 unité(s) expédiée(s) à partir du 27 janvier 2026
  • Plus 12 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
50 - 502,948 €147,40 €
100 - 2002,624 €131,20 €
250 - 4502,568 €128,40 €
500 - 9502,512 €125,60 €
1000 +2,359 €117,95 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
236-3569
Référence fabricant:
SSM3J338R,LF(T
Fabricant:
Toshiba
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Toshiba

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

26.3mΩ

Forward Voltage Vf

0.75V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.4mm

Height

0.8mm

Standards/Approvals

No

Width

2.9 mm

Automotive Standard

No

The Toshiba field effect transistor MADE up of the silicon material and having P channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

Liens connexes