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Toshiba Type P-Channel MOSFET, 3.5 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SSM3J351R,LF(T

N° de stock RS:: 236-3570
Référence fabricant:: SSM3J351R,LF(T
Fabricant:: Toshiba

Toshiba Type P-Channel MOSFET, 3.5 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SSM3J351R,LF(T

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

600,00 €

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3000 +	0,20 €	600,00 €

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N° de stock RS:: 236-3570
Référence fabricant:: SSM3J351R,LF(T
Fabricant:: Toshiba

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	129mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	15.1nC
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.85V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	0.8mm
	Length	2.4mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque Toshiba
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 129mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15.1nC
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.85V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 0.8mm
	Length 2.4mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SSM3J351R,LF(T

The Toshiba field effect transistor MADE up of the silicon material and having P channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

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