Toshiba Type P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SSM3J334R,LF(T

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144-5260
Référence fabricant:
SSM3J334R,LF(T
Fabricant:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

136mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.9nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

1.8 mm

Height

0.8mm

Length

2.9mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
JP

MOSFET P-Channel, SSM3J Series, Toshiba


MOSFET Transistors, Toshiba


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