Références fabricant

Toshiba Type P-Channel MOSFET, 6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23

N° de stock RS:: 236-3566
Référence fabricant:: SSM3J328R,LF(T
Fabricant:: Toshiba

Toshiba Type P-Channel MOSFET, 6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

246,00 €

(TVA exclue)

297,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,082 €	246,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 236-3566
Référence fabricant:: SSM3J328R,LF(T
Fabricant:: Toshiba

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	88.4mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12.8nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.87V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.4mm
	Height	0.8mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Toshiba
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 88.4mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.8nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.87V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.4mm
	Height 0.8mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SSM3J328R,LF(T

The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having P channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

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