Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 454 A, 60 V, 8-Pin HSOF-8 IPT008N06NM5LFATMA1
- N° de stock RS:
- 236-1584
- Référence fabricant:
- IPT008N06NM5LFATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*
6 548,00 €
(TVA exclue)
7 924,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 11 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 3,274 € | 6 548,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 236-1584
- Référence fabricant:
- IPT008N06NM5LFATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 454A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | HSOF-8 | |
| Series | IPT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.8mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 278W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 185nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.1mm | |
| Width | 10.58 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 454A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type HSOF-8 | ||
Series IPT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.8mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 278W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 185nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.1mm | ||
Width 10.58 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 5 Linear FET, 60 V MOSFET . This product is fully qualified according to JEDEC for industrial applications .
Ideal for hot-swap and e-fuse applications
Very low on-resistance RDS(on)
Wide safe operating area SOA
N-channel, normal level
100% avalanche tested
Pb-free plating, halogen-free
Liens connexes
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin HSOF-8 IPT008N06NM5LFATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF-8 IPT012N06NATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 155 A HSOF
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 155 A HSOF IPT059N15N3ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin HSOF-8 IPT013N08NM5LFATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin HSOF-8 IPT60R040S7XTMA1